存储器“一条龙”应用计划申报要求.doc

Formatted: 附件 6 Formatted: Formatted: Font: 18 pt, Bold, Complex Script Font: 18 pt 存储器“一条龙”应用计划申报要求 一、产业链构成 立足光存储、3D NAND Flash、DRAM，瞄准冷数据存储、 计算机、手机等终端应用，以产业链上下游供需能力为基础，针 对关键环节重点基础产品、工艺，推动相关重点项目建设和技术 突破，形成上下游产业对接的“一条龙”应用示范链条，推进产学 研用国际化协同创新，深化产业链协作。 关键产业链条环节 序 号 产业链环节 1． 上游材料 2． 生产设备制造 设计、制造、封测或IDM 3． 光存储制造 4． 制造工艺、服务平台 下 计算机、手机、服务 游 器等终端应用 5． 应 医疗、保险等行业的 用 冷数据/归档存储应用 光 存 储 √ — √ √ 动态随机 快闪存储器 访问存储器 （3D NANDF lash） （DRAM） √ √ √ √ √ √ — — √ √ √ √ √ 二、目标和任务 （一）上游材料 1.电子级高纯多晶硅及 12 英寸硅片 （1）环节描述及任务。持续推进电子级高纯多晶硅工程化， 逐步提升集成电路用电子级高纯多晶硅产品技术水平。推进集成 电路（IC）制造用 12 英寸硅片的规模量产能力。 （2）具体目标。电子级高纯多晶硅等关键半导体材料的生 产工艺改进，产品技术要求达到 GB/T12963-2014 电子 1 级多晶 硅要求，实现工程化，形成一定产业化生产能力，12 英寸硅片 在制造环节完成批量应用。 2.特种气体 （1）环节描述及任务。 ① 高纯氯气。主要参数：Cl2 ≥99.999%；H2O≤1.0ppm； CO2≤2.0ppmv；CO ≤1.5ppmv；O2 ≤1.0ppmv；CH4≤0.1ppmv。 ① 三氯氢硅。主要参数：纯度（质量分数）/10-2 :≥99.99； 一氯甲烷含量（质量分数）/10-6 ＜10 ；二氯氢硅含量（质量分 数）/10-6 ≤100；四氯化硅含量（质量分数）/10-6 ≤100；铁含量(质 量分数)/10-9≤30；镍含量(质量分数)/10-9≤2。 ① 锗烷。主要参数：锗烷（GeH4 ）纯度（体积分数） /10-2 ≥99.999；氢（H2）含量（体积分数）/10-6＜50 氧（O2）+氩 （Ar）含量（体积分数）/10-6 ≤2；氮（N2）含量（体积分数） /10-6 ≤2；一氧化碳(CO)含量(体积分数)/10-6 ≤1；二氧化碳(CO2) 含量(体积分数)/10-6 ≤1；甲烷（CH4）含量(体积分数)/10-6 ≤1； 水（H2O）含量(体积分数)/10-6 ≤3。 （2）具体目标。实现用于液晶面板、光纤、集成电路制造 的高纯氯气产业化稳定生产，产能 600 吨/年；实现用于芯片硅 外延制造的三氯氢硅产业化稳定生产，产能 1000 吨/年；实现用 于 8 英寸、12 英寸芯片、薄膜太阳能电池及光纤制造的锗烷产 业化稳定生产，产能 10 吨/年。 3.封装材料 （1）环节描述及任务。开发 FBGA、MCP、PoP、RDL、 Bumping Flip Chip、TSV 等先进形式封装。建立完备的氮化铝多 层陶瓷一体化封装设计、工艺及测试平台，开发氮化铝多层陶瓷 Deleted: （IC） 一体化封装一系列产品，满足 SiP、BGA、DIP 等封装要求。 （2）具体目标。开发 FBGA、MCP、PoP、RDL、Bumping Deleted: 研 Flip Chip、TSV 等先进封装形式，采用适合存储芯片封装的主流 材料，实现大规模量产能力。掌握并引领氮化铝多层陶瓷一体化 封装产业化技术，实现氮化铝多层陶瓷一体化封装技术创新，氮 化铝多层基板布线层数最高可达 30 层，封装体积缩小 60%左右， 提高陶瓷封装密度，解决高密度封装带来的散热问题。建立氮化 铝多层陶瓷一体化封装的技术平台，实现氮化铝陶瓷封装的产业 化生产。 4.数据记录关键镀膜（合金）材料 （1）环节描述及任务。突破高性能无机记录和反射材料生 Formatted: 产工艺，实现技术创新，年使用量不低于2.5吨；实现年产专业 数据存储产品500万片，服务于各种高要求大数据安全存储应用。 （2）具体目标。制备高吸收特性的405nm光波能量特种铜 合金材料真空磁控溅镀的圆形靶。铜合金材料的纳米级溅镀膜层 与非晶硅膜层叠加后，在405nm激光束作用下形成Cu3Si记录点的 光电特性：扰动值＜8%；所需记录功率＜6mW；反射率≥32%。 基 于 该 新 材 料 实 现 产 品 性 能 ： 单 盘 容 量 ≥100GB ； 读 写 速 率 ≥144Mbps；可靠使用寿命（加速老化测试）≥50年。 （二）生产设备制造 （1）环节描述及任务。实现关键设备行业保障能力。 （2）具体目标。减薄机，300mm超薄晶圆减薄抛光一体机。 光刻机，可满足200mm及300mm硅片封装工艺要求。刻蚀机， 300mm存储特色工艺刻蚀设备。气相淀积设备，300mm存储工艺 用CVD、PVD设备。光学测量设备及其它关键设备行业供应能力 的提升。 Deleted: 他 Formatted: Highlight （三）设计、制造、封装或 IDM，光存储制造 1．3D NAND Flash （1）环节描述及任务。开发3D NAND Flash系列产品，建 设完备的3D NAND Flash存储器封装、测试、系统级验证等软硬 件平台。 （2）具体目标。掌握存储器产业化生产技术，拥有 3D NAND Flash 自主知识产权，制程工艺缩小至 14/16nm，堆叠层 数达到 64 层，提升驱动控制电路等外围芯片和算法能力。 实现 3D NAND Flash 芯片产业化生产，达到存储器的规模应用。 2．全息光存储设备 （1）环节描述及任务。面向海量数据高效存储需求，突破 传统光存储二维记录、一维读写的理论极限，探索超高密度、超 快传输、超长寿命全息光存储新方法。 （2）具体目标。开发全息光存储设备，存储密度较传统光 存 储 技 术 （ 25Gb/inch2 ） 提 高 2 个 数 量 级 以 上 ， 读 取 速 度 >128Gb/s，写入速度＞20Gb/s，数据掉电保存寿命50年以上；开 发评估工具，验证以上指标。 3．高性能第四代 DRAM 存储器 （1）环节描述及任务。完成第四代DDR4 DRAM存储器系 列产品，完全符合JEDEC国际标准，与国际大厂同类产品完全兼 容，实现计算机、服务器、汽车电子等应用，支持云计算、大数 据和智能制造等发展战略。完成第四代LPDDR4 DRAM存储器系 列产品，完全符合JEDEC国际标准，与国际大厂同类产品完全兼 容，实现智能终端、消费电子等量产应用。 （2）具体目标。建设完备的第四代DRAM存储器设计、测 试、系统级验证等软硬件平台，构建第四代DRAM存储器产业化 Deleted: ，开发 3D NAND Flash 系列产品 产业链。开发符合JEDEC国际标准的第四代DRAM存储器系列产 品。开发DRAM产品容量不低于4Gbit，接口覆盖x8、x16和x32， 数据速率1866~3200MHz，双供电电压分别不高于1.2V和2.5V。 产品支持循环冗余码校验、温度控制刷新周期、读写时序自动校 准、多种自刷新模式、Row hammer自动侦测、免疫功能和提高 可靠性、支持封装后再修复功能和指令奇偶校验。开发标准DDR4 Formatted: Highlight 接口控制芯片。 （四）工艺/平台 纳米工艺技术；先进存储器工艺技术：如3D NAND存储器；SoC Deleted: 服务器 CPU¶ （1）环节描述及任务。围绕存储器推动应用，采用具备 良好生态环境、无知识产权纠纷的 CPU 架构，面向互联网、 事务处理等应用需求，开发高效安全可靠的服务器 CPU， 构建满足互联网应用需求的服务器整机系统。¶ （2）具体目标。推动存储器与 CPU 的协同，满足互联网、 事物处理等应用需求的安全可靠 CPU。在服务器关键技术 点上形成系列化核心知识产权组合。¶ 制造技术：包括各种嵌入式存储器等；基础性和先导性产业技术 Formatted: Font: 楷体_GB2312, Not Bold, Complex Script Font: Not Bold 开发；国产设备和材料的验证；相关配套IP的开发与验证，以及 Formatted: Font: 楷体_GB2312, Not Bold, Complex Script Font: Not Bold 集成电路公共服务平台 （1）环节描述及任务。先进逻辑技术基本工艺：如20-14-10 CoT服务等；其它具有市场前景的产品工艺等。 （2）具体目标。以骨干集成电路企业为主导，组织产学研 联合，依托先进的 12 英寸集成电路生产线和先导开发平台，整 合软硬件资源，建设中国 IC 先导技术的开发基地和验证平台， 推动微电子装备、材料和配套工艺、IP 的开发、验证及全面产业 化。 5．2．光存储生产及工艺 （1）环节描述及任务。拥有可记录蓝光光盘关键记录材料 配方，建设完备的蓝光存储介质测试生产体系，以及依托该蓝光 介质开发光存储器系统软硬件平台和系列产品。 （2）具体目标。掌握蓝光数据存储介质和光存储器系统产 业化生产技术，实现关键记录材料和存储器系统的创新。存储密 度：单盘容量≥100GB、42U 标准机柜＞12000 片。实现光存储器 Deleted: 集成电路制造工艺¶ （1）环节描述及任务。持续完善 32/28nm 逻辑代工工艺， 扩大产能规模，支撑行业设计业发展；完善嵌入式存储器 等特色工艺，通过工艺能力进步提升芯片性能；¶ （2）具体目标。提升芯片生产加工能力，丰富 IP 数量， 服务行业骨干设计企业；完善 0.18-0.11µm 嵌入式存储器 芯片工艺，支撑芯片开发应用。¶ Deleted: 他 系统的产业化生产和规模应用，相关技术性能达国际先进水平。 （五）下游应用 1．计算机、手机、服务器等终端应用 （1）环节描述及任务。积极推进3D NAND Flash、DRAM 行业保障能力，推动产业链上游产品的示范应用。 （2）具体目标。下游应用企业产品满足市场需求，市场认 可度不断提升。 2．医疗、保险等行业的冷数据和归档存储应用 （1）环节描述及任务。推进光存储在冷数据存储和归档存 储中的应用。 （2）具体目标。通过光存储解决方案应用，降低企业能耗， 满足应用需求。 三、咨询电话 中国企业联合会 杨秀丽 010-68702166 附：存储器“一条龙”应用计划申报书 Deleted: 、CPU 附 存储器“一条龙”应用计划申报书 企业名称： 项目名称： 责任人（法人代表）： 项目技术负责人： 实施年限：20 年 月至 20 填报日期：20 年 月 年 月 日 中华人民共和国工业和信息化部制 二〇一八年六月 单位名称 项目名称 所属产业链 所属产业链 关键环节 所属产品 □ 光存储 □ DRAM □ 上游材料 □ 生产设备制造 注册地 机构代码 项目实施期 年月至年月 □ 3D NAND Flash □ 设计、制造、封装或 IDM □ 服务平台 □ 下游应用 □ 晶硅材料 □ 特种气体 □ 封装材料 □ 镀膜材料 □ 光存储设备 □ 3D NAND Flash □ DRAM □ 生产制造设备 实施期 年 月至 年 月 主要负责人 联系电话（手机） 电子邮箱 传真 参与单位满足所属“一条龙”环节供需概述（包括： 1.企业基本情况； 2.重点产品、工艺符合性质，与“一条龙”其他环节在产品、工艺上的直接关联性； 3.创新能力、产品技术和工艺水平领先情况； 4.对产业链上游的需求，以及对下游可提供的产品或服务；近年来企业产品和技术实际使用和 应用情况； 5.近三年经营业绩，遵纪守法情况，管理制度建设情况，包括不限于以下内容 2015、2016、2017 年企业情况 技术 市场 研发投入占营收比例 当年申请专利数，截至年底累计授权专利数 细分领域市场份额、市场排名 总资产 资产负债率 财务 年度营业收入 年度净利润 6.企业参与“一条龙”应用计划的运行工作机制及措施； 7.推荐的龙头企业、参与单位和示范工程； 8.存在的问题和建议等。 项目基本情况（总投资、主要建设内容、预期效果等），并填列下表： 项目目前情况 项目成熟度 项目总投资 项目资本金 参与单位 自评意见 是否已经完成可研 总投资额 项目资本金额度 本单位承诺申报内容真实有效。 法定代表人（签字）：（盖章） 年 月 日